內(nèi)存
DDR ：DDR（雙重?cái)?shù)據(jù)傳輸率）SDRAM 提供雙重內(nèi)存帶寬，比 SDR（單一數(shù)據(jù)傳輸率）SDRAM的效率更高。
RAM ：隨機(jī)存取內(nèi)存RAM ( Random Access Memory)：RAM是可被讀取和寫入的內(nèi)存，我們在寫資料到RAM內(nèi)存時(shí)也同時(shí)可從RAM讀取資料，這和ROM內(nèi)存有所不同。但是RAM必須由穩(wěn)定流暢的電力來保持它本身的穩(wěn)定性，所以一旦把電源關(guān)閉則原先在RAM里頭的資料將隨之消失。
ECC ：Error Checking and Correcting(錯(cuò)誤檢查和糾正)的簡寫。它廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域的計(jì)算機(jī)指令中經(jīng)過內(nèi)存的糾錯(cuò)，計(jì)算機(jī)的操作指令才可以繼續(xù)執(zhí)行。
在內(nèi)存中絕大多數(shù)常見的出錯(cuò)都是：單位錯(cuò)，多位錯(cuò)，列錯(cuò)，行錯(cuò)。它們都比較相似。單位錯(cuò)大多發(fā)生在讀一個(gè)完整的比特或詞的時(shí)候有一位比特出錯(cuò)。當(dāng)讀相同的比特和詞時(shí)總是同一位數(shù)據(jù)出錯(cuò)，則稱為多位錯(cuò)。單位錯(cuò)發(fā)生在很多詞中，就稱列錯(cuò)或行錯(cuò)。
這些錯(cuò)誤是怎樣被糾正的：ECC內(nèi)存使用額外的比特(bit)存儲(chǔ)一個(gè)用數(shù)據(jù)加密的代碼。當(dāng)數(shù)據(jù)被寫入內(nèi)存，相應(yīng)的ECC代碼與此同時(shí)也被保存下來。當(dāng)重新讀回剛才存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)時(shí)，保存下來的ECC代碼就會(huì)和讀數(shù)據(jù)時(shí)產(chǎn)生的ECC代碼做比較。如果兩個(gè)代碼不相同，他們則會(huì)被解碼，以確定數(shù)據(jù)中的那一位是不正確的。然后這一錯(cuò)誤位會(huì)被拋棄，內(nèi)存控制器則會(huì)釋放出正確的數(shù)據(jù)。被糾正的數(shù)據(jù)很少會(huì)被放回內(nèi)存。假如相同的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)再次被讀出，則糾正過程再次被執(zhí)行。重寫數(shù)據(jù)會(huì)增加處理過程的開銷，這樣則會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)性能的明顯降低。如果是隨機(jī)事件而非內(nèi)存的缺點(diǎn)產(chǎn)生的錯(cuò)誤，則這一內(nèi)存地址的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)會(huì)被再次寫入的其他數(shù)據(jù)所取代。
